摘要：采用基于硝酸鉀溶液的電化學(xué)刻蝕工藝,通過(guò)橫向刻蝕犧牲層的方法,在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的氮化鎵(GaN)外延層上實(shí)現(xiàn)了納米孔與納米薄膜兩種結(jié)構(gòu)。通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)GaN的表面和截面進(jìn)行了對(duì)比表征。結(jié)果表明,由于在刻蝕過(guò)程中氧氣的產(chǎn)生,相比于穩(wěn)定性很好的SiO2,易于氧化剝落的光刻膠在大電壓刻蝕下存在著明顯的缺陷;在刻蝕電壓為12~22 V時(shí)犧牲層可以被刻蝕出納米孔結(jié)構(gòu),且隨著電壓的增加刻蝕孔也會(huì)增大;在刻蝕電壓為23 V及以上電壓時(shí)犧牲層被完全去除;刻蝕過(guò)程中刻蝕速率逐漸降低,100μm的納米薄膜可在270 s時(shí)制作完成。