摘要：文章報(bào)道了水熱法生長(zhǎng)Ga/Sc共摻ZnO晶體的結(jié)果。實(shí)驗(yàn)以ZnO陶瓷燒結(jié)塊為培養(yǎng)料,以4mol/LKOH+1mol/L LiOH+5mlH2O2作為礦化劑,溶液中加入定量的Ga2O3和Sc2O3粉末,在尺寸為Φ70×1100mm高壓釜中,在溶解溫度T=380℃~400℃,結(jié)晶溫度T=360℃~380℃的條件下,采用溫差水熱法生長(zhǎng)出了尺寸為50×35×5.6(c軸方向)mm3的Ga/Sc共摻ZnO單晶體。采用ICP-MS測(cè)試了晶體中Ga和Sc元素的含量。利用分光光度計(jì)測(cè)試了晶體的吸收率,從400nm波長(zhǎng)開始,隨著波長(zhǎng)的增大,Ga/Sc共摻ZnO晶體的吸收率比純ZnO晶體高。比較了不同溫差條件下c軸方向的生長(zhǎng)速度,確定了合適的水熱法晶體生長(zhǎng)的溫差條件。