摘要：基于“U”形增強(qiáng)型雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（DMOS＋）平面元胞、增強(qiáng)型受控緩沖層（CPT＋）技術(shù)及結(jié)終端擴(kuò)展（JTE）終端結(jié)構(gòu)，通過引入載流子存儲(chǔ)層、優(yōu)化背面緩沖層及背面集電極結(jié)構(gòu)，開發(fā)出低導(dǎo)通損耗、高關(guān)斷能力及寬短路安全工作區(qū)的4500VIGBT芯片。高溫測(cè)試（Tj=125℃）結(jié)果表明，該4500VIGBT的導(dǎo)通壓降（Vceon）為3V，能夠關(guān)斷6．75倍額定電流，并通過了Vgeon=21．5V、tsc=15μs的極限短路測(cè)試；4500V／1200AIGBT模塊的最高工作結(jié)溫巧達(dá)150℃。
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期刊名稱：大功率變流技術(shù)
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