摘要：采用溝槽柵結構、軟穿通（SPT）技術和載流子存儲層技術研制出一款增強型溝槽柵型（TMOS＋）3300VIGBT芯片，其具有更低通態壓降、更高功率密度和更優的關斷安全工作區性能。高溫（Tj=150℃）工況下，芯片的通態壓降比相同電壓等級增強型平面柵型（DMOS＋）IGBT的約低25％，并能安全關斷11倍額定電流；同等外形尺寸條件下，TMOS＋型IGBT模塊的電流等級（1800A）比DMOS＋型的提升了20％，可滿足更高功率容量的應用需求。