摘要：三個具有不同量子阱寬度的GaAs/AlAs多量子阱結構樣品通過分子束外延生長設備生長在半絕緣的(100)p-型GaAs襯底上,并且在量子阱層結構的生長過程中,在GaAs阱層中央進行了Be受主的δ-摻雜。基于這3個結構樣品,通過光刻技術和半導體加工工藝制備了相應的兩端器件。在4~200 K的溫度范圍內,我們分別測量了器件的電流-電壓特征曲線,清楚地觀察到了重、輕空穴通過δ-摻雜Be受主GaAs/AlAs多量子阱結構的共振隧穿現象。發現隨著GaAs量子阱層寬的逐漸減小,輕空穴的共振隧穿峰向著高電壓方向移動,這個結果和通過AlAs/GaAs/AlAs雙勢壘結構模型計算的結果是一致的。然而,隨著測量溫度的進一步升高,兩個輕空穴共振峰都朝著低電壓的方向移動,并且在150 K溫度下,其中一個共振遂穿峰表現為一種振動模式。