摘要：通過正硅酸乙酯(TEOS)水解,在羰基鐵表面包覆SiO2,對其進行表面改性,研究表面包覆時間對電磁特性和吸波性能的影響。采用XRF、FT-IR對樣品的元素及化學鍵進行表征,使用TEM分析樣品表面形貌,確定包覆層厚度。利用矢量網絡分析儀對樣品的電磁參數進行測量,研究其吸波性能。結果表明:羰基鐵表面包覆層厚度約為40~60nm,隨包覆時間延長,包覆層厚度逐漸增加并致密;經模擬,包覆后同等厚度樣品對電磁波的吸收峰向高頻移動,頻帶寬度(RL≤-10dB)明顯增加;包覆2h樣品,反射損耗最小,最佳反射損耗值為-45.18dB,展現出了良好的吸波性能。