摘要：介紹了微型鎵基共晶固定點(diǎn)的灌注工藝和準(zhǔn)絕熱相變特性測量系統(tǒng);結(jié)合空腔黑體和非近位安裝的溫度傳感器,研究了Ga-Sn和Ga-Zn共晶固定點(diǎn)的相變溫坪重復(fù)性和Ga固定點(diǎn)的相變溫坪長期穩(wěn)定性;通過特定的熱環(huán)境下鎵及2個(gè)鎵基共晶固定點(diǎn)三者熔化過程中溫度傳感器測量到的相變溫坪值,對嵌入空腔黑體底部的溫度傳感器進(jìn)行校準(zhǔn),其校準(zhǔn)結(jié)果與實(shí)驗(yàn)室常規(guī)校準(zhǔn)方法得到的結(jié)果差異均小于2mK。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在熱環(huán)境保持不變的條件下,隨著相變時(shí)間的增加,相變溫坪值就越靠近理論上相變物質(zhì)的熔化溫度,即固定點(diǎn)與溫度傳感器測孔之間的異位溫差越小;對于Ga-Sn和Ga-Zn共晶固定點(diǎn),溫度傳感器測量到的相變溫坪值與加熱功率呈線性關(guān)系,零功率下的單點(diǎn)校準(zhǔn)溫度分別為20.352℃和25.187℃。