摘要：基于憶阻器在電路中具有記憶的特性,借助于PSPICE軟件進行憶阻器模型以及基于憶阻器的突觸電路的建立與仿真。利用磁控濺射方法在Si襯底上制備NiO憶阻器實物。電學測試結果發現,該憶阻器的電阻隨著電壓的變化而變化,得到了典型的V-I滯回特性曲線。將NiO憶阻器實物連接到突觸的硬件電路中,實物測試結果顯示出與基于憶阻器的突觸仿真電路同樣的LTP效應和LTD效應,進一步證實該硬件電路中存在突觸可塑性。