摘要：對位移損傷敏感器件CCD及CMOS圖像傳感器進行了3,10,23MeV質子輻照試驗,獲得了電荷轉移效率及暗電流退化程度分別隨非電離能量損失(NIEL)變化的線性關系,驗證了基于NIEL的位移損傷等效方法的可行性。為準確預測抗輻射加固工程中,器件屏蔽結構帶來的能量崎離、次級粒子等非理想因素對器件參數退化的影響,利用Geant4計算了不同質子能量下的NIEL值。結果表明,隨著質子能量降低,計算得到的NIEL值與解析法給出的理想NIEL值的差異增大。因此,對于結構復雜的器件,有必要建立器件結構模型,以便準確計算NIEL。